ASML加緊對大陸市場的出貨，看起來是件好事，幫助國內建立晶片產業鏈。可是如果大量採購ASML的光刻機，將來國產光刻機落地之後，還能獲得訂單嗎？
所以不能一直依賴進口，還需要投入自主研發，避免EUV光刻機不能出貨的現狀擴散到更大的範圍。在國產光刻機持續發展的背景下，國產光刻機「破冰」了關鍵一步，啟爾機電完成浸液系統的一項突破。
那麼什麼是浸液系統呢？是否要和ASML說再見了？
國產光刻機「破冰」浸液系統
晶片製造的複雜程度遠超想像，很多人以為只要掌握相應的製程工藝，就能實現晶片生產。可實際上，在幾十道的工序步驟中還會經歷各式各樣的環節。
就拿光刻步驟來說，需要在矽片的表面進行清洗和烘乾，緊接著塗抹光刻膠保護襯底，光刻機光源對準晶圓曝光，然後進行顯影等環節。
流程看似簡單，可是要實現每一步的推進都是非常困難的。如果把頂級的光刻機拆分，至少有十萬個零部件，這麼多的零部件來自全球5000多家供應商。所以看起來普普通通的光刻環節，其實動用了全球頂級科技力量。
當然，光刻機也分為高端和中低端的，高端的EUV不用多說，是一個長遠的目標。但是在中低端光刻機領域，距離最終的突破並不遙遠。在這個領域中，國產光刻機「破冰」關鍵一步，由國產廠商啟爾機電完成浸液系統的突破進展。
根據傳來的消息顯示，啟爾機電極大控制了高精度液體，把溫控誤差降低到了正負0.001度以內。
這是啟爾機電面向浸液系統的一大突破力作，為國產光刻機的發展定下基調。
那麼什麼是浸液系統呢？啟爾機電的突破對國產光刻機意味著什麼？
啟爾機電的突破意味著什麼？
首先要明白的是浸液系統屬於浸沒式光刻機的四大件之一，和其它的光源、物鏡、雙工件臺是同一級別的研發難度，重要性不言而喻。
在研製浸液系統時，需要解決去離子水，液體選擇以及氣泡去除等一系列難題，啟爾機電此次突破是在控制液體溫差技術上取得了進展。
啟爾機電的這項突破對國產光刻機來說，意味著距離28nm光刻機的實際落地越來越近了。和大家想像的不一樣，啟爾機電此次突破更多是應用於ArF光源，對應波長為193nm。
在這個波長中的浸沒式光刻機理論上可以用在7nm晶片生產，但實際發展對應的晶片生產製程為28nm到22nm。
全球主要的ArF光刻機市場份額掌握在ASML手中，但隨著上海微電子加速國產光刻機的研發，翹首以盼的28nm國產光刻機可能就要來了。
啟爾機電完成浸液系統的突破，可對應28nm製程工藝。經由上海微電子參與ArF浸沒式光刻機研發，在28nm製程中抱有很大的破局希望。一切只是時間問題，相信只要耐心等待，就能看到最終的國產28nm光刻機亮相。
也許有人感慨，就只是28nm呢？ASML都已經研發到了5nm，未來量產新一代的NA EUV光刻機還能生產2nm晶片。
光刻機製程時代的邁進是需要時間積累的，從光源區別來看，國產已經在DUV深紫外線領域取得不小的突破，DUV對應KrF、ArF、ArFi三種光源，目前正處在全力攻克ArF，再往下就是EUV極紫外光線。
EUV光刻機造出的高端晶片並不能滿足市面上所有需求，需求量更大的晶片往往是通過ArF光刻機造出來的。所以不用糾結距離EUV還有多遠，先發展好當下，該有的遲早會有。
再見了，ASML？
對於國產光刻機的發展狀況，ASML似乎有些坐立不安了。表示如果再不出貨，多年後中國就會掌握這項技術。而且ASML也認為不能太絕對否定中國造不出頂級光刻機，物理規則在中國同樣有效。
就在6月上旬，ASML進一步展開中國市場的布局動作，計劃招聘200名中國員工。
很顯然，ASML打算用時間優勢快速建立起夯實的地位，加緊對大陸市場中低端光刻機的出貨量，把能夠出貨的設備都安排上。
可是這並沒有阻止國產廠商對自主光刻機的研發，一旦國產28nm光刻機落地，並取得不輸給ASML光刻機的性能水準，恐怕要說再見了，ASML。
寫在最後
ASML不能實現EUV光刻機的自由出貨，只能靠銷售中低端的DUV光刻機傾銷市場。這類光刻機範疇當中，國產正在加緊自主化的步伐。啟爾機電的浸液系統突破是非常關鍵的一步，讓國產28nm光刻機的到來走向現實。
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